Silicon Carbide Sic graphite crucible ສໍາລັບ melting ໂລຫະທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ
ປະສິດທິພາບຂອງ Silicon Carbide Crucible
| ພາລາມິເຕີ | ຂໍ້ມູນ | ພາລາມິເຕີ | ຂໍ້ມູນ |
| SiC | ≥85% | ຄວາມເຂັ້ມແຂງການປວດເຢັນ | ≥100MPa |
| SiO₂ | ≤10% | Porosity ປາກົດຂື້ນ | ≤%18 |
| Fe₂O₃ | <1% | ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ | ≥1700°C |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ | ≥2.60 g/cm³ | ພວກເຮົາສາມາດຜະລິດຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ | |
ລາຍລະອຽດ
ໃນຖານະເປັນປະເພດຂອງຜະລິດຕະພັນ refractory ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານ, Silicon carbide graphite crucible ແມ່ນອຸປະກອນການ refractory ທີ່ເຫມາະສົມໃນອຸດສາຫະກໍາໂລຫະຝຸ່ນ (ຂະຫນາດໃຫຍ່ sponge tunnel kiln ທາດເຫຼັກ).Silicon carbide graphite crucible ທີ່ຜະລິດໂດຍ Rongsheng Group ໃຊ້ວັດຖຸດິບ silicon carbide graphite ຊັ້ນສູງ 98%, ແລະຂະບວນການພິເສດແມ່ນເພີ່ມເຂົ້າໃນການຄັດເລືອກວັດຖຸດິບເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດສູງຂອງວັດຖຸດິບ.
Silicon carbide graphite crucible ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາເຄມີ, ວັດສະດຸທາງລົບແລະທາດເຫຼັກ sponge, smelting ໂລຫະ, ການຜະລິດໄຟຟ້າ photovoltaic, ພາກສະຫນາມພະລັງງານນິວເຄລຍແລະ furnaces ຕ່າງໆ, ເຊັ່ນ furnace ຄວາມຖີ່ຂະຫນາດກາງ, furnace ໄຟຟ້າ, furnace ຕ້ານທານ, furnace ໄປເຊຍກັນກາກບອນ, furnace particle, ແລະອື່ນໆ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
Silicon Carbide Graphite Crucible ໄດ້ກາຍເປັນທາງເລືອກທີ່ນິຍົມສໍາລັບໂຮງງານເຄມີ, ຜູ້ຜະລິດເຫຼັກແລະເຫຼັກກ້າ, ຜູ້ຜະລິດໄຟຟ້າ photovoltaic, ແລະເຄື່ອງຜະລິດໄຟຟ້ານິວເຄລຍ.ມັນຍັງເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນ furnaces ລະດັບຄວາມຖີ່ຂອງຂະຫນາດກາງ, ໄຟຟ້າ, ຄວາມຕ້ານທານ, ໄປເຊຍກັນກາກບອນ, ແລະ furnaces ອະນຸພາກເນື່ອງຈາກການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ດີກວ່າ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ.
Gufan Sic ຄວາມໄດ້ປຽບ crucible
Silicon carbide graphite crucible ຜະລິດໂດຍ Gufan Carbon Co.Ltd.ມີຄຸນລັກສະນະຂອງຄວາມຍືດຫຍຸ່ນທີ່ດີ, ບໍ່ງ່າຍທີ່ຈະແຕກ, ແລະຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວນານ, ແລະຍັງມີຄວາມສາມາດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ sagger ເພີ່ມຜົນຜະລິດ, ຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ, ປະຫຍັດແຮງງານແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຫຼາຍ.
ຄໍາແນະນໍາແລະຂໍ້ຄວນລະວັງສໍາລັບ Graphite Crucible
ຜະລິດຕະພັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ
-
Silicon Carbide Graphite Crucible ສໍາລັບການລະລາຍ M ...
Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Content Tempeatue esistance Cabon Content Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650°C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 ໝາຍເຫດ: ພວກເຮົາສາມາດປັບເນື້ອໃນຂອງ aw mateial ແຕ່ລະຄົນທີ່ຈະ poduce ການ cucible accoding customes 'equiement.Silicon Cabide Cucible Advantages High stength Good themal conductivity Low themal expansion ຄວາມຮ້ອນສູງ esistance ສູງ stength ...
-
ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Sic Silicon Carbide Crucible Graphi...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Cold Crushing Strength ≥100MPa SiO₂ ≤10% Apparent Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Temperature Resistance ≥1700°C Bulk Density ≥2.60 g/cm ລາຍລະອຽດລູກຄ້າສາມາດຜະລິດໄດ້. ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ --- ມັນມີຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ ...
-
Silicon Graphite Crucible ສໍາລັບການລະລາຍໂລຫະ Cla ...
ພາລາມິເຕີດ້ານວິຊາການສໍາລັບ Clay Graphite Crucible SIC C Modulus ຂອງ Rupture Temperature Resistance Bulk Density Apparent Porosity ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% ຫມາຍເຫດ: ພວກເຮົາສາມາດປັບເນື້ອໃນຂອງແຕ່ລະວັດຖຸດິບເພື່ອຜະລິດ crucible ໄດ້. ອີງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.ລາຍລະອຽດ graphite ທີ່ໃຊ້ໃນ crucibles ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນປົກກະຕິແລ້ວເຮັດ ...
